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产品概述 product overview

标准双温区中温蒸发源的最大工作温可达1400℃。蒸发源内部采用独特的加热丝设计,每个加热丝均由pbn环支撑,可确保坩埚受热均匀,同时有更好的使用稳定性和更长的使用寿命。中间采用多层线接触式钽筒隔热,大大降低了热辐射损失,提高了热量利用率,使其在较低的功率下即可达到较高的工作温度。蒸发源水冷系统采用独立水冷套设计,屏蔽了高温加热区域对腔体内壁的辐射,可有效减少腔壁放气,为样品生长提供了更好的真空条件,同时提高了温度测量精度。
标准双温区中温蒸发源设计用于在300°c至1400°c的温度范围内蒸发或升华各种元素和化合物,例如典型的iii-v mbe材料(例如al,ga或in)。


规格说明 specification

● 加热系统: 辐射加热,带有pbn支撑片的钽加热丝

● 温度稳定性:≤±0.1%,取决于pid温控器

● 超高真空兼容,极限真空量级10-11mbar

● 独立水冷模块

● 挡板:可选材质挡片(钽,pbn等)


炉源型号 e63mt60df e63mt80df e100mt150df e125mt300df e150mt700df
坩埚容量
60cc 80cc 150cc 300cc 700cc
坩埚材质 pbn
加热丝数量 2
加热丝材质
热点偶类型 w5%re / w26%re(c型)
安装法兰 dn63cf dn63cf dn100cf dn125cf dn150cf
温度范围 300~1400℃
上温区最高除气温度 1300℃
下温区最高除气温度 1400℃
温度稳定性 ±0.1%
烘烤温度 250℃














测试曲线图 test curve

——————    e63mt80df温度功率曲线    —————— —   e63mt80df上温区1280℃和下温区1260℃时在衬底位置束流分布  —


—   e63mt80df上温区1280℃和下温区1260℃时锗薄膜沉积曲线   —





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标签: evaporators
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